AI 메모리 패권 경쟁서 초격차 시동
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삼성전자는 12일 HBM4 양산 출하를 본격적으로 시작했다고 밝혔다. 이번 HBM4는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율을 확보했다. 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps(최대 13Gbps)의 동작 속도와 전작 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s의 메모리 대역폭(단일 스택 기준)이 강점이다. 저전력 설계 기술을 통해 에너지 효율을 약 40%, 열 저항 특성과 방열 특성은 각각 10%, 30% 향상시켰다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당(부사장)은 "기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램과 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보하면서 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 밝혔다.














